CIQTEK تستضيف فريق GSEM للتدريب الشامل على المجهر الإلكتروني

مجهر مسح إلكتروني عالي الدقة بانبعاث المجال (FESEM) ال سيكتيك SEM5000X مجهر FESEM فائق الدقة بتصميم عمود بصري إلكتروني مُحسّن، يُقلل الانحرافات الكلية بنسبة 30%، محققًا دقة فائقة تبلغ 0.6 نانومتر عند 15 كيلو فولت و1.0 نانومتر عند 1 كيلو فولت. دقته العالية واستقراره يجعله مفيدًا في أبحاث المواد النانوية الهيكلية المتقدمة، بالإضافة إلى تطوير وتصنيع رقائق الدوائر المتكاملة شبه الموصلة عالية التقنية.

دقة عالية جدًا مجهر مسح إلكتروني بخيوط التنغستن ال سيكتيك SEM3300 المجهر الإلكتروني الماسح (SEM) يتضمن تقنيات مثل بصريات الإلكترونات "النفق الفائق"، وكاشفات الإلكترونات داخل العدسة، والعدسات الشيئية المركبة الكهروستاتيكية والكهرومغناطيسية. بتطبيق هذه التقنيات على مجهر خيوط التنغستن، يتم تجاوز حد الدقة الثابت لهذا المجهر، مما يُمكّن مجهر خيوط التنغستن من إجراء تحليلات منخفضة الجهد لم تكن تُنجز سابقًا إلا باستخدام مجهرات الانبعاث الميداني.

120 كيلو فولت المجهر الإلكتروني لنقل الانبعاثات الميدانية (TEM) 1. مساحات العمل المقسمة: يقوم المستخدمون بتشغيل TEM في غرفة مقسمة مع الراحة مما يقلل من التداخل البيئي مع TEM. 2. كفاءة تشغيلية عالية: يدمج البرنامج المخصص عمليات مؤتمتة للغاية، مما يسمح بتفاعل TEM فعال مع المراقبة في الوقت الفعلي. 3. تجربة تشغيلية مطورة: مجهزة بمسدس إلكتروني ذو انبعاث ميداني مع نظام آلي للغاية. 4. قابلية توسعة عالية: توجد واجهات كافية مخصصة للمستخدمين للترقية إلى تكوين أعلى، والذي يلبي متطلبات التطبيقات المتنوعة.

جا + مجهر مسح إلكتروني بإصدار مجال حزمة الأيونات المركزة ال مجهر مسح إلكتروني بشعاع أيوني مركّز CIQTEK DB550 (FIB-SEM) يتميز بعمود شعاع أيوني مُركّز للتحليل النانوي وتحضير العينات. ويستخدم تقنية بصريات الإلكترونات "النفقية الفائقة"، وتصميمًا منخفض الانحراف، وعدسة غير مغناطيسية، ويتميز بخاصية "الجهد المنخفض، الدقة العالية" لضمان قدراته التحليلية النانوية. تسهل أعمدة الأيونات عملية Ga + مصدر أيونات معدنية سائلة بحزم أيونية عالية الجودة ومستقرة للغاية لضمان قدرات التصنيع النانوي. DB550 هو محطة عمل متكاملة للتحليل والتصنيع النانوي، مزودة بمعالج نانوي متكامل، ونظام حقن غاز، وبرنامج واجهة مستخدم رسومية سهل الاستخدام.