مستقرة، متعددة الاستخدامات، مرنة، وفعالة
ال سيكتيك SEM4000X هو مستقر ومتعدد الاستخدامات ومرن وفعال مجهر مسح إلكتروني بالانبعاث الميداني (FE-SEM) تبلغ دقة هذا الجهاز 1.9 نانومتر عند 1.0 كيلو فولت، ويتغلب بسهولة على تحديات التصوير عالي الدقة لمختلف أنواع العينات. ويمكن ترقيته بوضع إبطاء الشعاع الفائق لتحسين دقة الجهد المنخفض بشكل أكبر.
يستخدم المجهر تقنية الكواشف المتعددة، مع كاشف إلكترون عمودي (UD) قادر على اكتشاف إشارات SE وBSE مع توفير أداء عالي الدقة. يتضمن كاشف الإلكترونات المثبت على الحجرة (LD) أنبوبي وميض بلوري ومضاعف ضوئي، مما يوفر حساسية وكفاءة أعلى، وينتج صورًا مجسمة بجودة ممتازة. واجهة المستخدم الرسومية سهلة الاستخدام، وتتميز بوظائف أتمتة مثل السطوع والتباين التلقائي، والتركيز التلقائي، والتشويش التلقائي، والمحاذاة التلقائية، مما يسمح بالتقاط صور فائقة الدقة بسرعة.
يستخدم برنامج المجهر SEM CIQTEK خوارزميات مختلفة لكشف الأهداف وتقسيمها، وهو مناسب لأنواع مختلفة من عينات الجسيمات والمسام. كما أنه يتيح التحليل الكمي لإحصائيات الجسيمات والمسام ويمكن تطبيقه في مجالات مثل علم المواد والجيولوجيا وعلوم البيئة.
قم بإجراء معالجة لاحقة للصور عبر الإنترنت أو دون الاتصال بالإنترنت على الصور الملتقطة بواسطة المجاهر الإلكترونية ودمج وظائف معالجة الصور EM المستخدمة بشكل شائع وأدوات القياس والتعليق التوضيحي المريحة.
التعرف التلقائي على حواف عرض الخطوط، مما يُحسّن دقة القياسات وثباتها. يدعم أوضاعًا متعددة لكشف الحواف، مثل الخط، والمسافة، والخطوة، وغيرها. متوافق مع تنسيقات صور متعددة، ومجهز بوظائف معالجة لاحقة شائعة الاستخدام. يتميز البرنامج بسهولة الاستخدام والكفاءة والدقة.
يوفر مجموعة من الواجهات للتحكم في مجهر المسح الإلكتروني، بما في ذلك التقاط الصور، وإعدادات ظروف التشغيل، والتشغيل/الإيقاف، والتحكم في المرحلة، وغيرها. تتيح تعريفات الواجهات الموجزة التطوير السريع لبرامج تشغيل وبرامج خاصة بالمجهر الإلكتروني، مما يتيح التتبع الآلي للمناطق ذات الاهتمام، وجمع بيانات الأتمتة الصناعية، وتصحيح انحراف الصور، وغيرها من الوظائف. يمكن استخدامه لتطوير البرامج في مجالات متخصصة مثل تحليل الدياتومات، وفحص شوائب الفولاذ، وتحليل النظافة، ومراقبة المواد الخام، وغيرها.
مواصفات المجهر CIQTEK SEM4000X FESEM | ||
البصريات الإلكترونية | دقة |
0.9 نانومتر عند 30 كيلو فولت، جنوب شرق
1.2 نانومتر عند 15 كيلو فولت، جنوب شرق 1.9 نانومتر عند 1 كيلو فولت، SE 1.5 نانومتر عند 1 كيلو فولت (تباطؤ فائق للشعاع) 1 نانومتر عند 15 كيلو فولت (تباطؤ الشعاع الفائق) |
جهد التسارع | 0.2 كيلو فولت ~ 30 كيلو فولت | |
التكبير (البولارويد) | 1 ~ 1,000,000 × | |
نوع البندقية الإلكترونية | مدفع شوتكي لانبعاث الإلكترونات في المجال | |
غرفة العينة | آلة تصوير | كاميرات مزدوجة (الملاحة البصرية + مراقبة الغرفة) |
نطاق المرحلة |
X: 110 ملم Y: 110 ملم Z: 65 ملم ت: -10°~ +70° ر: 360 درجة |
|
كاشفات المجهر الإلكتروني الماسح وملحقاتها | معيار |
كاشف الإلكترونات داخل العدسة: UD-BSE/UD-SE كاشف إيفيرهارت-ثورنلي: LD |
خياري |
كاشف الإلكترونات المتناثرة للخلف (BSED) كاشف المجهر الإلكتروني الناقل الماسح القابل للسحب (STEM) كاشف الفراغ المنخفض (LVD) مطياف تشتت الطاقة (EDS / EDX) نمط حيود التشتت الخلفي للإلكترون (EBSD) قفل تبادل العينات (4 بوصة / 8 بوصة) لوحة التحكم بكرة التتبع والمقبض تقنية وضع تباطؤ الشعاع الفائق |
|
واجهة المستخدم | لغة | إنجليزي |
نظام التشغيل | ويندوز | |
ملاحة | الملاحة البصرية، الملاحة السريعة بالإيماءات، كرة التتبع (اختياري) | |
الوظائف التلقائية | السطوع والتباين التلقائي، التركيز التلقائي، التشويش التلقائي |