تستضيف CIQTEK برنامج التدريب التشغيلي المتقدم للمجاهر SEM لـ GSEM KOREA

تحليلي شوتكي مجهر مسح الانبعاث الميداني الإلكتروني (FESEM) سيكتيك SEM4000Pro هو نموذج مجهر مسح إلكتروني تحليلي FE-SEM مزود بمدفع إلكترونات شوتكي عالي السطوع وطويل العمر. يوفر تصميم عدساته الكهرومغناطيسية ثلاثية المراحل مزايا كبيرة في التطبيقات التحليلية مثل EDS/EDX، وEBSD، وWDS، وغيرها. يأتي النموذج قياسيًا مع وضع الفراغ المنخفض وكاشف إلكترونات ثانوي عالي الأداء ومنخفض الفراغ، بالإضافة إلى كاشف إلكترونات مرتد قابل للسحب، مما يُسهّل رصد العينات ضعيفة التوصيل أو غير الموصلة.

دقة عالية جدًا مجهر مسح إلكتروني بخيوط التنغستن ال سيكتيك SEM3300 المجهر الإلكتروني الماسح (SEM) يتضمن تقنيات مثل بصريات الإلكترونات "النفق الفائق"، وكاشفات الإلكترونات داخل العدسة، والعدسات الشيئية المركبة الكهروستاتيكية والكهرومغناطيسية. بتطبيق هذه التقنيات على مجهر خيوط التنغستن، يتم تجاوز حد الدقة الثابت لهذا المجهر، مما يُمكّن مجهر خيوط التنغستن من إجراء تحليلات منخفضة الجهد لم تكن تُنجز سابقًا إلا باستخدام مجهرات الانبعاث الميداني.

خيوط التنغستن عالية الأداء وعالمية SEM مجهر ال مجهر المسح الإلكتروني CIQTEK SEM3200 مجهر مسح إلكتروني (SEM) متعدد الأغراض ممتاز مصنوع من خيوط التنغستن، يتميز بقدرات إجمالية فائقة. يضمن تصميمه الفريد المزود بمدفع إلكتروني ثنائي الأنود دقة عالية، ويُحسّن نسبة الإشارة إلى الضوضاء في الصورة عند جهد إثارة منخفض. علاوة على ذلك، يوفر مجموعة واسعة من الملحقات الاختيارية، مما يجعل SEM3200 جهازًا تحليليًا متعدد الاستخدامات وسهل الاستخدام.

120 كيلو فولت المجهر الإلكتروني لنقل الانبعاثات الميدانية (TEM) 1. مساحات العمل المقسمة: يقوم المستخدمون بتشغيل TEM في غرفة مقسمة مع الراحة مما يقلل من التداخل البيئي مع TEM. 2. كفاءة تشغيلية عالية: يدمج البرنامج المخصص عمليات مؤتمتة للغاية، مما يسمح بتفاعل TEM فعال مع المراقبة في الوقت الفعلي. 3. تجربة تشغيلية مطورة: مجهزة بمسدس إلكتروني ذو انبعاث ميداني مع نظام آلي للغاية. 4. قابلية توسعة عالية: توجد واجهات كافية مخصصة للمستخدمين للترقية إلى تكوين أعلى، والذي يلبي متطلبات التطبيقات المتنوعة.

مجهر مسح إلكتروني عالي الدقة بانبعاث المجال (FESEM) ال سيكتيك SEM5000X مجهر FESEM فائق الدقة بتصميم عمود بصري إلكتروني مُحسّن، يُقلل الانحرافات الكلية بنسبة 30%، محققًا دقة فائقة تبلغ 0.6 نانومتر عند 15 كيلو فولت و1.0 نانومتر عند 1 كيلو فولت. دقته العالية واستقراره يجعله مفيدًا في أبحاث المواد النانوية الهيكلية المتقدمة، بالإضافة إلى تطوير وتصنيع رقائق الدوائر المتكاملة شبه الموصلة عالية التقنية.