CIQTEK to Showcase Advanced SEM Technology and U.S. Local Support at SEMS 2026

مستقر، متعدد الاستخدامات، مرن، وفعال ال CIQTEK SEM4000X هو مستقر ومتعدد الاستخدامات ومرن وفعال المجهر الإلكتروني الماسح ذو الانبعاث الميداني (FE-SEM) يحقق هذا الجهاز دقة تصل إلى 1.8 نانومتر عند جهد 1.0 كيلوفولت، ويتغلب بسهولة على تحديات التصوير عالي الدقة لمختلف أنواع العينات. ويمكن ترقيته بوضع تباطؤ فائق للشعاع لتعزيز دقة الجهد المنخفض بشكل أكبر. يستخدم المجهر تقنية متعددة الكواشف، حيث يحتوي على كاشف إلكتروني داخل العمود (UD) قادر على رصد إشارات الإلكترونات الثانوية (SE) والإلكترونات المرتدة (BSE) مع توفير دقة عالية. أما الكاشف الإلكتروني المثبت في الحجرة (LD) فيتضمن وميضًا بلوريًا وأنابيب مضاعفة ضوئية، مما يوفر حساسية وكفاءة أعلى، وينتج عنه صور مجسمة بجودة ممتازة. تتميز واجهة المستخدم الرسومية بسهولة الاستخدام، وتتضمن وظائف أتمتة مثل السطوع والتباين التلقائيين، والتركيز التلقائي، والتصحيح التلقائي للتباين، والمحاذاة التلقائية، مما يسمح بالتقاط صور فائقة الدقة بسرعة.

مجهر مسح إلكتروني عالي الدقة بانبعاث المجال (FESEM) ال سيكتيك SEM5000X مجهر FESEM فائق الدقة بتصميم عمود بصري إلكتروني مُحسّن، يُقلل الانحرافات الكلية بنسبة 30%، محققًا دقة فائقة تبلغ 0.6 نانومتر عند 15 كيلو فولت و1.0 نانومتر عند 1 كيلو فولت. دقته العالية واستقراره يجعله مفيدًا في أبحاث المواد النانوية الهيكلية المتقدمة، بالإضافة إلى تطوير وتصنيع رقائق الدوائر المتكاملة شبه الموصلة عالية التقنية.

دقة عالية جدًا مجهر مسح إلكتروني بخيوط التنغستن ال سيكتيك SEM3300 المجهر الإلكتروني الماسح (SEM) يتضمن تقنيات مثل بصريات الإلكترونات "النفق الفائق"، وكاشفات الإلكترونات داخل العدسة، والعدسات الشيئية المركبة الكهروستاتيكية والكهرومغناطيسية. بتطبيق هذه التقنيات على مجهر خيوط التنغستن، يتم تجاوز حد الدقة الثابت لهذا المجهر، مما يُمكّن مجهر خيوط التنغستن من إجراء تحليلات منخفضة الجهد لم تكن تُنجز سابقًا إلا باستخدام مجهرات الانبعاث الميداني.