سهل ولكن ليس بسيطًا - المجهر الإلكتروني لمسح خيوط التنجستن CIQTEK SEM2000

CIQTEK SEM5000 هو مجهر إلكتروني لمسح الانبعاثات الميدانية يتمتع بقدرة تصوير وتحليل عالية الدقة، مدعوم بوظائف وفيرة، ويستفيد من تصميم عمود البصريات الإلكترونية المتقدم، مع تقنية نفق شعاع الإلكترون عالي الضغط (SuperTunnel)، وانحراف منخفض، وعدم الغمر عدسة موضوعية، تحقق تصويرًا عالي الدقة بجهد منخفض، ويمكن أيضًا تحليل العينة المغناطيسية. من خلال التنقل البصري، والوظائف الآلية، وواجهة المستخدم التفاعلية بين الإنسان والكمبيوتر المصممة بعناية، وعملية التشغيل والاستخدام المُحسّنة، بغض النظر عما إذا كنت خبيرًا أم لا، يمكنك البدء بسرعة وإكمال أعمال التصوير والتحليل عالية الدقة.

CIQTEK SEM5000 هو مجهر إلكتروني لمسح الانبعاثات الميدانية يتمتع بقدرة تصوير وتحليل عالية الدقة، مدعوم بوظائف وفيرة، ويستفيد من تصميم عمود البصريات الإلكترونية المتقدم، مع تقنية نفق شعاع الإلكترون عالي الضغط (SuperTunnel)، وانحراف منخفض، وعدم الغمر عدسة موضوعية، تحقق تصويرًا عالي الدقة بجهد منخفض، ويمكن أيضًا تحليل العينة المغناطيسية. من خلال التنقل البصري، والوظائف الآلية، وواجهة المستخدم التفاعلية بين الإنسان والكمبيوتر المصممة بعناية، وعملية التشغيل والاستخدام المُحسّنة، بغض النظر عما إذا كنت خبيرًا أم لا، يمكنك البدء بسرعة وإكمال أعمال التصوير والتحليل عالية الدقة.

مستقرة ومتعددة الاستخدامات ومرنة وفعالة يعد CIQTEK SEM4000X مجهرًا إلكترونيًا مستقرًا ومتعدد الاستخدامات ومرنًا وفعالًا لمسح الانبعاثات الميدانية (FE-SEM) . إنه يحقق دقة تبلغ 1.9nm@1.0kV، ويتعامل بسهولة مع تحديات التصوير عالي الدقة لأنواع مختلفة من العينات. يمكن ترقيته باستخدام وضع تباطؤ الشعاع الفائق لتعزيز دقة الجهد المنخفض بشكل أكبر. يستخدم المجهر تقنية كاشفات متعددة، مع كاشف إلكترون داخل العمود (UD) قادر على اكتشاف إشارات SE وBSE مع توفير أداء عالي الدقة. يشتمل كاشف الإلكترون المثبت على الحجرة (LD) على وامض كريستالي وأنابيب مضاعفة ضوئية، مما يوفر حساسية وكفاءة أعلى، مما يؤدي إلى الحصول على صور مجسمة بجودة ممتازة. واجهة المستخدم الرسومية سهلة الاستخدام، وتتميز بوظائف التشغيل الآلي مثل السطوع والتباين التلقائي، والتركيز التلقائي، والوصمة التلقائية، والمحاذاة التلقائية، مما يسمح بالتقاط صور فائقة الدقة بسرعة.

مستقرة ومتعددة الاستخدامات ومرنة وفعالة يعد CIQTEK SEM4000X مجهرًا إلكترونيًا مستقرًا ومتعدد الاستخدامات ومرنًا وفعالًا لمسح الانبعاثات الميدانية (FE-SEM) . إنه يحقق دقة تبلغ 1.9nm@1.0kV، ويتعامل بسهولة مع تحديات التصوير عالي الدقة لأنواع مختلفة من العينات. يمكن ترقيته باستخدام وضع تباطؤ الشعاع الفائق لتعزيز دقة الجهد المنخفض بشكل أكبر. يستخدم المجهر تقنية كاشفات متعددة، مع كاشف إلكترون داخل العمود (UD) قادر على اكتشاف إشارات SE وBSE مع توفير أداء عالي الدقة. يشتمل كاشف الإلكترون المثبت على الحجرة (LD) على وامض كريستالي وأنابيب مضاعفة ضوئية، مما يوفر حساسية وكفاءة أعلى، مما يؤدي إلى الحصول على صور مجسمة بجودة ممتازة. واجهة المستخدم الرسومية سهلة الاستخدام، وتتميز بوظائف التشغيل الآلي مثل السطوع والتباين التلقائي، والتركيز التلقائي، والوصمة التلقائية، والمحاذاة التلقائية، مما يسمح بالتقاط صور فائقة الدقة بسرعة.

عالية الأداء والعالمية خيوط التنغستن SEM المجهر يعد مجهر CIQTEK SEM3200 SEM مجهرًا إلكترونيًا ممتازًا لمسح خيوط التنغستن (SEM) للأغراض العامة مع إمكانات شاملة متميزة. ويضمن هيكل المسدس الإلكتروني الفريد ثنائي الأنود دقة عالية ويحسن نسبة إشارة الصورة إلى الضوضاء عند جهد كهربائي منخفض. علاوة على ذلك، فهو يقدم مجموعة واسعة من الملحقات الاختيارية، مما يجعل SEM3200 أداة تحليلية متعددة الاستخدامات ذات قابلية استهلاك ممتازة.

المجهر الإلكتروني الماسح بالانبعاث الميداني التحليلي (FESEM) ذو الشعاع الكبير I CIQTEK SEM4000Pro هو نموذج تحليلي لـ FE-SEM، مزود بمسدس شوتكي الإلكتروني عالي السطوع وطويل العمر. يوفر تصميم العدسة الكهرومغناطيسية ثلاثي المراحل مزايا كبيرة في التطبيقات التحليلية مثل EDS / EDX، وEBSD، وWDS، والمزيد. إنه يأتي قياسيًا مع وضع فراغ منخفض وكاشف إلكترون ثانوي منخفض الفراغ عالي الأداء، بالإضافة إلى كاشف إلكترون منتثر خلفي قابل للسحب، مما يفيد في مراقبة العينات سيئة التوصيل أو غير موصلة.

دقة عالية في ظل الإثارة المنخفضة CIQTEK SEM5000Pro هو مجهر إلكتروني لمسح الانبعاثات الميدانية (FE-SEM) من شوتكي متخصص في الدقة العالية حتى في ظل جهد الإثارة المنخفض. إن استخدام تقنية البصريات الإلكترونية المتقدمة "Super-Tunnel" يسهل مسار شعاع خالي من التقاطع مع تصميم عدسة مركبة كهرومغناطيسية كهروستاتيكية. تقلل هذه التطورات من تأثير الشحن المكاني، وتقلل من انحرافات العدسة، وتعزز دقة التصوير عند الجهد المنخفض، وتحقق دقة تبلغ 1.2 نانومتر عند 1 كيلو فولت، مما يسمح بالمراقبة المباشرة للعينات غير الموصلة أو شبه الموصلة، مما يقلل العينة بشكل فعال أضرار الإشعاع.

مجهر إلكتروني ماسح عالي السرعة للتصوير على نطاق واسع للحجم الكبير للعينات CIQTEK HEM6000 مرافق تقنيات مثل المسدس الإلكتروني ذو الشعاع الكبير عالي السطوع، ونظام انحراف شعاع الإلكترون عالي السرعة، وتباطؤ مرحلة العينة عالية الجهد، والمحور البصري الديناميكي، والعدسة الموضوعية الكهرومغناطيسية والكهروستاتيكية المغمورة لتحقيق الحصول على صور عالية السرعة مع ضمان دقة النانو. تم تصميم عملية التشغيل الآلي لتطبيقات مثل سير عمل التصوير عالي الدقة لمساحة كبيرة أكثر كفاءة وذكاءً. يمكن أن تصل سرعة التصوير إلى أكثر من 5 مرات أسرع من المجهر الإلكتروني التقليدي الماسح للانبعاثات الميدانية (FESEM).

الجيل القادم من المجهر الإلكتروني لخيوط التنغستن يشتمل CIQTEK SEM3300 المجهر الإلكتروني الماسح (SEM) على تقنيات مثل البصريات الإلكترونية "Super-Tunnel"، وكاشفات الإلكترون الداخلية، والعدسات الموضوعية المركبة الكهروستاتيكية والكهرومغناطيسية. من خلال تطبيق هذه التقنيات في مجهر خيوط التنغستن، يتم تجاوز الحد الأقصى للدقة طويل الأمد لمثل هذا المجهر، مما يمكّن SEM من خيوط التنغستن من أداء مهام تحليل الجهد المنخفض التي لم يكن من الممكن تحقيقها في السابق إلا باستخدام SEM للانبعاث الميداني.

120 كيلو فولت المجهر الإلكتروني لنقل الانبعاثات الميدانية (TEM) 1. مساحات العمل المقسمة: يقوم المستخدمون بتشغيل TEM في غرفة مقسمة مع الراحة مما يقلل من التداخل البيئي مع TEM. 2. كفاءة تشغيلية عالية: يدمج البرنامج المخصص عمليات مؤتمتة للغاية، مما يسمح بتفاعل TEM فعال مع المراقبة في الوقت الفعلي. 3. تجربة تشغيلية مطورة: مجهزة بمسدس إلكتروني ذو انبعاث ميداني مع نظام آلي للغاية. 4. قابلية توسعة عالية: توجد واجهات كافية مخصصة للمستخدمين للترقية إلى تكوين أعلى، والذي يلبي متطلبات التطبيقات المتنوعة.

فائق الدقة عالية الدقة ، المسح المجهري للانبعاثات الإلكترونية (FESEM)ال CIQTEK SEM5000X هو دقة عالية للغاية FESEM مع تصميم العمود البصريات الإلكترون المحسنة ، مما يقلل من الانحرافات الإجمالية بنسبة 30 ٪ ، لتحقيق دقة عالية للغاية قدرها 0.6 نانومتر@15 كيلو فولت و 1.0 نانومتر@1 كيلو فولت إن الدقة والاستقرار العالية تجعلها مفيدة في أبحاث المواد النانوية المتقدمة ، بالإضافة إلى تطوير وتصنيع رقائق IC أشباه الموصلات عالية التقنية.